SS er defineret som:
```
$$ SS =\frac{d V_{gs}}{d \log I_{ds}} $$
```
hvor:
* $$V_{gs}$$ er gate-to-source spændingen
* $$I_{ds}$$ er dræn-til-kildestrømmen
SS måles typisk i millivolt pr. årti. En lavere SS indikerer en mere effektiv MOSFET, da det kræver mindre spændingssving for at ændre drænstrømmen.
SS påvirkes af flere faktorer, herunder:
* Gateoxidens tykkelse
* Doping af kilde- og afløbsregionerne
* Kanallængden
* Temperaturen
Gateoxidtykkelsen er den vigtigste faktor, der påvirker SS. Et tyndere gateoxid resulterer i en lavere SS. Et tyndere gate-oxid gør dog også MOSFET'en mere modtagelig for nedbrydning.
Dopingen af kilde- og drænregionerne påvirker også SS. En højere dopingkoncentration resulterer i en lavere SS. En højere dopingkoncentration øger dog også den parasitære modstand af MOSFET, hvilket kan forringe dens ydeevne.
Kanallængden er en anden vigtig faktor, der påvirker SS. En kortere kanalængde resulterer i en lavere SS. En kortere kanallængde gør dog også MOSFET'en mere modtagelig for kortkanaleffekter, hvilket kan forringe dens ydeevne.
Temperaturen påvirker også SS. En højere temperatur resulterer i en højere SS. Dette skyldes, at mobiliteten af ladebærerne i MOSFET falder i takt med at temperaturen stiger, hvilket gør det sværere for MOSFET at skifte mellem tændt og slukket tilstand.
SS er en vigtig værdi for MOSFET'er, da den indikerer, hvor effektivt de kan skifte mellem tændt og slukket tilstand. Ved at optimere designet af MOSFET, er det muligt at opnå en lav SS, som kan forbedre ydeevnen af MOSFET.